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Si5853DDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 5 V thru 2.5 V
V GS = 2 V
4
3
6
2
4
2
V GS = 1.5 V
1
T C = 25 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.30
0.25
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
700
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
V GS = 1.8 V
500
0.20
0.15
400
C iss
V GS = 2.5 V
300
0.10
200
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
100
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
6
4
2
0
I D = 2.9 A
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V, 2.5 V, 1.8 V
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68979
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
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